علی‌رغم محبوبیت اخیر پروسکایت‌ها در بین محققان حوزه فتوولتاییک، هنوز موارد زیادی در مورد پروسکایت‌ها وجود دارد که اطلاعات کافی از آن‌ها در دسترس نیست. درک واکنش‌ها و رفتارهای عمیق درون ماده می‌تواند قابلیت‌های جدیدی به مواردی که از لحاظ تئوری به کمک پروسکایت‌ها امکان‌پذیر است، اضافه کند.
دانشمندان به رهبری آزمایشگاه ملی اوک ریج در ایالات متحده آمریکا مطالعه عمیقی بر روی یدید سرب متیل‌آمونیم که معمول‌ترین و پرکاربردترین پروسکایت مورد استفاده در کاربردهای فتوولتاییک است، انجام دادند. این گروه با استفاده از روش‌های مختلف طیف‌سنجی، نقش فونون‌ها و پویایی مولکول آلی (متیل‌آمونیم) را در ماده بررسی کردند. فونون‌ها نوعی حالت برانگیخته از ارتعاشات درون ماده هستند. یافته کلیدی ارائه شده در مقاله، اثر ایزوتوپ بر پراکندگی فونون و هدایت حرارتی در یدید سرب متیل‌آمونیوم، منتشر شده در Science Advances، این بود که جایگزینی هیدروژن در مولکول آلی با دوتریوم، یعنی ایزوتوپ سنگین‌تر آن، باعث کاهش هدایت حرارتی و سکون حامل می‌شود.
هر دوی این عوامل باعث سهولت در دریافت بارهای تولید شده توسط اثر فتوولتاییک و انتقال آن‌ها به خارج از سلول می‌شوند که منجر به عملکرد بهتر سلولهای خورشیدی می‌شوند. این گروه همچنین بررسی کردند که این فرایندها در داخل ماده باید کمی تحت تأثیر نور قرار بگیرند، و احتمالاً خواص آن در عملکرد ثابت خواهند ماند.
این گروه پیشنهاد می‌کند که می‌تواند با استفاده از این کشف و ایجاد روش‌هایی برای «اصلاح» خواص انتقال ارتعاشی پروسکایت و افزایش بیشتر طول عمر حامل حرارتی، و درک و توانایی بیشتر در کنترل فونون‌ها، منجر به عملکرد بهتر پروسکایت‌ها شوند. محققان اظهار داشتند: «درک و کنترل خصوصیات فونون در این دسته از مواد بسیار مهم است.»
