فناوری پوشش‌دهی با فیلم نازکی از رسوب لایه اتمی (ALD; Atomic Layer Deposition) شرکت پیکوسان (Picosun) راه‌حلی برای حذف استفاده از گازهای خطرناک فرآیندی، نظیر گوگرد هگزافلوئورید (SF6) و نیتروژن تری‌فلوئورید (NF3) ارائه می‌دهد.
در روش‌های فعل ی پوشش‌دهی رسوب شیمیایی از فاز بخار (CVD)، برای دستیابی به سطح مطلوب در عملکرد و برای رسیدن به مشخصات موردنیاز مثل؛حفاظت در برابر خوردگی، ایجاد سدی در برابر رطوبت، کاربردهای غیرفعال‌سازی (passivation) و عایق‌کاری، نیاز است تا فیلم‌های نسبتاً ضخیمی ایجاد شوند. با توجه به ساخت سریع فیلم بر روی دیواره‌های تجهیزات پوشش‌دهی، محفظه رسوب باید در فواصل زمانی منظم از باقی‌مانده‌های فیلم تمیز شود. این کار معمولاً توسط فرآیند پاک‌سازی محفظه با پلاسما SF6 یا NF3 انجام می‌شود.
SF6 با پتانسیل گرمایش جهانی 22600 برابر CO2، قوی‌ترین گاز گلخانه‌ای است که تابه‌حال شناخته شده‌است (این ضریب برای NF3، 17200 برابر است). این گاز حداقل برای ۱۰۰۰ سال در جو باقی می‌ماند. در سال ۲۰۱۷، در اتحادیه اروپا میزان انتشار گازهای گلخانه‌ای به‌تنهایی با 1.4 میلیون خودرو برابر بود. ازاین‌رو استفاده از این گازها منوط به بررسی مداوم و افزایش مقررات است.
با استفاده از فناوری نانولمینیت ALD شرکت پیکوسان می‌توان با ایجاد فیلم‌های بسیار نازک و بدون حفره سوزنی (pinhole) عملکردی بی‌نظیر در برابر عوامل محیطی ایجاد کرد. این فناوری همچنین نیاز به پاک‌سازی تجهیزات لایه‌نشانی پس از هر مرحله اجرا را از بین می‌برد. در استفاده معمول از این فناوری، محفظه واکنش ALD شرکت پیکوسان در هر ۳ تا ۶ ماه فقط یک‌بار نیاز به پاک‌سازی دارد و مهره‌پاشی (bead blasting) مکانیکی ساده، به‌جای استفاده از پلاسمای مبتنی بر فلوئور کافی است.
آقای جوانا کاستامو، معاون مدیرعامل گروه پیکوسان گفت: "ما در پیکوسان می‌خواهیم از فناوری ALD خود برای آینده‌ای پایدار استفاده نماییم. مبارزه با تغییرات آب و هوایی به وسیله تمام ابزارهای ممکن، نیازمند همکاری بین صنایع خلاق و ارائه‌دهندگان راهکار است. با جایگزین کردن پوشش‌های ضخیم، ساخته‌شده با روش‌های سازگار با محیط زیست، با انباشت فیلم فوق‌العاده نازک رسوب لایه اتمی ما، صرفه‌جویی قابل‌توجهی در مواد و هزینه به دست می‌آید و دیگر نیازی به استفاده از گازهای خطرناک برای پاک‌سازی تجهیزات نیست."
